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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제38권 제12호
발행연도
2001.12
수록면
8 - 13 (6page)

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CeO2 박막은 강유전체 메모리 디바이스 응용을 위한 금속-강유전체-절연체-실리콘 전계효과 트랜지스터 구조에서의 강유전체 박막과 실리콘 기판 사이의 완충층으로서 제안되어지고 있다. 본 논문에서는 CeO2 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여 Cl2/Ar 가스 혼합비에 따라 식각하였다. 식각 특성을 알아보기 위한 실험조건으로는 RF 전력 600 W, dc 바이어스 전압 -200 V, 반응로 압력 15 mTorr로 고정하였고 Cl2/(Cl2+Ar) 가스 혼합비를 변화시키면서 실험하였다. Cl2/(Cl2+Ar) 가스 혼합비가 0.2일때 CeO2 박막의 식각속도는 230 Å/min으로 가장 높았으며 또한 YMnO3에 대한 CeO2의 선택비는 1.83이였다. 식각된 CeO2 박막의 표면반응은 XPS와 SIMS를 통해서 분석하였다. XPS 분석 결과 CeO2 박막의 표면에 Ce와 Cl의 화학적 반응에 의해 CeCl 결합이 존재함을 확인하였고, 또한 SIMS 분석 결과로 CeCl 결합을 확인하였다. CeO2 박막의 식각은 Cl 라디칼의 화학적 반응의 도움을 받으며 Ce 원자는 Cl과 반응을 하여 CeCl과 같은 혼합물로 CeO2 박막 표면에 존재하며 이들 CeCl 혼합물은 Ar 이온들의 충격에 의해 물리적으로 식각 되어진다.

목차

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 검토

4. 결론

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