저항 변화 메모리 소재의 저항 네트워크 회로 모델 및 시뮬레이션

김미연 ,  김건웅 ,  백승재

대한전자공학회 학술대회

2021 .11

Structural Effects on Unipolar Resistive Switching Behaviors in Oxide-Based RRAM for High-Density and Low-Power Applicaions

Kyung-Chang Ryoo ,  Sungjun Kim ,  Sunghun Jung 외 4명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

Improvement of Reliability by Using Fluorine Doped Tin Oxide Electrode for Ta₂O₅ Based Transparent Resistive Switching Memory Devices

Do Yeon Lee ,  Soo Jung Baek ,  Sung Yeon Ryu 외 1명

신뢰성응용연구

2016 .03

Nitride-Based RRAM Devices for Various Applications

Sungjun Kim ,  Sunghun Jung ,  Min-Hwi Kim 외 4명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

Resistive switching memory device based on X-DNA

Wonkyu KANG ,  Kyungmin LEE ,  Hunsang JUNG 외 6명

한국생물공학회 학술대회

2017 .10

실리콘 산화막 기반의 저항변화메모리

김성준 ,  정성헌 ,  김형진 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

Self-rectification Resistive Switching Memory Arrays via Multifunctional Double Active Layers Formed by Electrodeposition

서희원 ,  김동수 ,  조형균

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2022 .11

자외선 후처리 공정에 의한 저항성 변화 메모리 특성 개선 효과

신동호 ,  정정모 ,  이유빈 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2019 .10

Resistive switching memory effect based on X shape DNA layer

Wonkyu KANG ,  Hunsang JUNG ,  Kyoungmin WOO 외 5명

한국생물공학회 학술대회

2018 .04

Asymmetry Current Voltage Behaviors of Ni/HfO₂/TiN Memory Structures for Self-rectifying Resistive Switching Memory Using Quantum Tunneling Phenomenon

Min Ju Yun ,  Sungho Kim ,  Ch 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2017 .01

CMOS Analog Integrate-and-fire Neuron Circuit for Driving Memristor based on RRAM

Min-Woo Kwon ,  Myung-Hyun Baek ,  Jungjin Pa 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2017 .04

Compact Modeling of a HfO₂ Memristor Cell with Dependence on Compliance Current for Large-area Simulations

Sau ,  abh Su ,  ed 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2023 .12

Improved Resistive Switching Characteristics Observed in Zinc oxide-based Resistive Random-Access Memory Devices via thickness variation

Mohsin Ali ,  Hee-Dong Kim

대한전자공학회 학술대회

2024 .06

고밀도 교차형 어레이 메모리 응용을 위한 적층된 NbO_x 셀렉터와 ZrO_x 저항기반 메모리

조영부 ,  김성훈 ,  김주리 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2023 .06

실리콘 질화막 기반 저항 변화 메모리의 전압 의존적 저항 변화 특성 모델링

김민휘 ,  김성준 ,  방수현 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2018 .06

Resistive Switching Device Based on Biomaterial Elastin-Like Protein

Kyungmin LEE ,  Wonkyu KANG ,  Haeun JUNG 외 4명

한국생물공학회 학술대회

2017 .04

A Novel Approach to Analyze the Resistance of the RRAM Based on the Conductive Nano Filament Length and Width Variation

H. M. Vijay ,  V. N. Ramak ,  ishnan

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2022 .10

Y₂O₃ 기반 RRAM 소자의 열처리 효과

이찬섭

대한전자공학회 학술대회

2024 .11

Resistive switching device based on bioengineered elastin-like protein

Hunsang JUNG ,  Yo-Han KIM ,  Kyungmin LEE 외 3명

한국생물공학회 학술대회

2016 .10

이중 층 산화물 기반 자가 정류 저항 메모리의 성능 향상

조민규 ,  고재희 ,  최병준

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2022 .11