FET 문턱전압 특징을 이용한 전원입력단용 단일전원 이상전원 검출회로

원주호; 고형호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 원주호 (한국항공우주연구원) 고형호 (충남대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제53권 제11호 (통권 제468호)

발행연도: 2016.11

수록면: 107 - 113 (7page)

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전원입력단에 사용되는 회로는 입력전원만을 사용할 수가 있다. 일반적인 전자회로는 입력전원을 이용하는 전압변환기에 의해 생성되는 2차전원을 이용하게 된다. 하지만 전원입력단의 저전압 및 과전압에 의한 고장에 대비하기 위한 보호회로는 2차 전원을 사용할 수가 없기 때문에, 입력전원만을 이용해서 구현이 되어야 한다. MOS FET의 문턱전압 특성을 이용한 저전압/과정압 검출회로는 50V 입력전압만을 이용해서, 정상적인 전압범위를 벗어나는 저전압/과전압 현상을 정상적으로 검출할 수가 있고, 기존의 Zener diode만으로 보호만 가능했던 것을 검출이 가능하게 되었고, 이상전압검출회로의 동작의 정확도를 결정하는 기준전압은 환경조건 등에 의해서 발생할 수 있는 모든 변수를 고려하면 최악조건 해석상으로 8.4%에서 2.5%로 향상되었다.

#저전압/과전압 #검출회로 #문턱전압 #전원입력단 #MOS-FET

참고문헌 (11)

참고문헌 신청

[단행본] - D. Lee / 1997 / Satellite System / Kyoungmoonsa

[기타자료] - / 2013 / ECSS-Q-ST-60C Rev 2, Space product assurance - Electrical, electronics and electromechanical (EEE)components / ECSS

[기타자료] - / 2011 / ECSS-Q-ST-30-11C Rev 1, Space product assurance - Derating for EEE components / ECSS

[단행본] - J. Rabaey / 2003 / Digital Integrated Circuit-A design perspective / Prentice Hall

[학술지(정기간행물)] - D. Kwon / 2011 / A novel under-voltage and over-voltage detection circuit with voltage detector using one transistor / IEICE Electron. Express 8 : 1882 ~ 1886

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