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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.3
- 수록면
- 1 - 9 (9page)
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This paper presents three potential risks in an environment that simultaneously performs the garbage collection and wear leveling in NAND flash memory. These risks may not only disturb the lifespan improvement of NAND flash memory, but also impose an additional overhead of page migrations. In this paper, we analyze the interference of garbage collection and wear leveling and we also provide two theoretical considerations for lifespan prolongation of NAND flash memory. To prove two solutions of three risks, we construct a simulation, based on DiskSim 4.0 and confirm realistic impacts of three risks in NAND flash memory. In experimental results, we found negative impacts of three risks and confirmed the necessity for a coordinator module between garbage collection and wear leveling for reducing the overhead and prolonging the lifespan of NAND flash memory.
목차
Abstract
I. Introduction
II. Background
III. Related Works
IV. Analysis of Potential Risks caused by Garbage Collection and Wear Leveling Interference
V. Experiments and Quantitative Analysis
VI. Conclusions
REFERENCES
참고문헌 (20)
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2017 / Statistik-Portal, Statista-Das. "statista–The statistics portal."
Park, Ki-Tae / 2015 / Three-dimensional 128 Gb MLC vertical NAND flash memory with 24-WL stacked layers and 50 MB/s high-speed programming / IEEE Journal of Solid-State Circuits 50(1):204~213
Ma, Dongzhe / 2014 / A survey of address translation technologies for flash memories / ACM Computing Surveys (CSUR) 46(3):36
Chen, Renhai / 2017 / Heating dispersal for self-healing NAND flash memory / IEEE Transactions on Computers 66(2):361~367
Chung, Tae-Sun / 2006 / System software for flash memory:a survey / International Conference on Embedded and Ubiquitous Computing
Park, Ki-Tae / 2015 / Three-dimensional 128 Gb MLC vertical NAND flash memory with 24-WL stacked layers and 50 MB/s high-speed programming / IEEE Journal of Solid-State Circuits 50(1):204~213
Ma, Dongzhe / 2014 / A survey of address translation technologies for flash memories / ACM Computing Surveys (CSUR) 46(3):36
Chen, Renhai / 2017 / Heating dispersal for self-healing NAND flash memory / IEEE Transactions on Computers 66(2):361~367
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