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저자정보
Carsten Kempiak (Otto-von-Guericke-University Magdeburg) Andreas Lindemann (Otto-von-Guericke-University Magdeburg) Shiori Idaka (Mitsubishi Electric Europe B.V.) Eckhard Thal (Mitsubishi Electric Europe B.V.)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
3,084 - 3,089 (6page)

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Standardised methods to measure T<SUB>j</SUB><SUB></SUB> during power cycling usually refer to silicon (Si) devices and are not applicable to silicon carbide (SiC) MOSFETs. Measurement methods especially proposed for SiC MOSFETs in contrast suffer some limitations. The purpose of this work is to overcome these constraints by evaluating the usage an integrated sensor, consisting of a chain of small diodes directly integrated on the chip surface. For validation, measurements with such devices are carried out in a power cycling test bench and compared to simulations revealing a good correlation between the local sensor measurement and the area related mean temperature which would be measured by standardised methods for usage with Si devices. The results are particularly interesting as the sensors permit to measure temperature independently on the switching state of the transistor, thus avoiding delay times as required when implementing other methods.
#Power Cycling #Reliability #SiC MOSFET #T< #SUB> #j< #/SUB> #Sensor

목차

Abstract
I. STATE OF THE ART AND PROBLEM
II. METHODICAL CONSIDERATIONS
III. RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES

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