MIS 기반 저항성 스위칭 메모리 소자의 자가 정류 특성 연구

정진수 ,  배동주 ,  김희동

대한전기학회 학술대회 논문집

2020 .11

Resistive switching memory device based on X-DNA

Wonkyu KANG ,  Kyungmin LEE ,  Hunsang JUNG 외 6명

한국생물공학회 학술대회

2017 .10

Improvement of Reliability by Using Fluorine Doped Tin Oxide Electrode for Ta₂O₅ Based Transparent Resistive Switching Memory Devices

Do Yeon Lee ,  Soo Jung Baek ,  Sung Yeon Ryu 외 1명

신뢰성응용연구

2016 .03

광 스위칭 소자를 사용한 전력반도체 응답지연 및 스위칭 특성 비교분석

한승훈 ,  장푸름 ,  황대연 외 2명

전력전자학회 학술대회 논문집

2023 .07

Resistive Switching Device Based on Biomaterial Elastin-Like Protein

Kyungmin LEE ,  Wonkyu KANG ,  Haeun JUNG 외 4명

한국생물공학회 학술대회

2017 .04

Resistive switching memory effect based on X shape DNA layer

Wonkyu KANG ,  Hunsang JUNG ,  Kyoungmin WOO 외 5명

한국생물공학회 학술대회

2018 .04

저항변화 스위칭 기반 능동 구동 디스플레이 연구

홍석희 ,  이호진 ,  김태근

대한전자공학회 학술대회

2023 .06

Resistive switching device based on bioengineered elastin-like protein

Hunsang JUNG ,  Yo-Han KIM ,  Kyungmin LEE 외 3명

한국생물공학회 학술대회

2016 .10

실리콘 질화막 기반 저항 변화 메모리의 전압 의존적 저항 변화 특성 모델링

김민휘 ,  김성준 ,  방수현 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2018 .06

자외선 후처리 공정에 의한 저항성 변화 메모리 특성 개선 효과

신동호 ,  정정모 ,  이유빈 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2019 .10

배터리 전압 변동의 전 범위에서 소프트 스위칭이 가능한 스위칭 기법

선다운 ,  서보길 ,  김학수 외 4명

전력전자학회 학술대회 논문집

2015 .07

수소 도핑효과에 의한 ZnO 맴트랜지스터 소자특성

손기훈 ,  강경문 ,  박형호 외 1명

마이크로전자 및 패키징학회지

2020 .01

Resistive Switching Characteristics on SiN/NiN Bilayer for Resistive Random Access Memory

Min Ju Yun ,  Hee-Dong Kim

대한전자공학회 학술대회

2017 .06

근적외선 레이저 펄스로 제어되는 바나듐 이산화물 박막 기반 소전력 스위칭 소자에서 기판 크기에 따른 스위칭 특성에 관한 연구

김지훈 ,  최성욱 ,  이슬이 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2020 .07

국방 AI 반도체를 위한 HfO₂ 기반의 지능형 반도체소자에 ZnO를 활용한 resistive switching uniformity 개선 연구

지수웅 ,  심규창 ,  백승욱 외 8명

대한전자공학회 학술대회

2022 .06

Ag/ZnO/TiN 구조에서의 비이상적인 스위칭이 시냅스 소자의 모방에 미치는 부정적 영향

박종민 ,  김성준

대한전자공학회 학술대회

2021 .06

용액공정 OLED 기술 동향

육경수

인포메이션 디스플레이

2015 .01

비-휘발성 저항 변화 메모리 응용을 위한 WOx 물질의 전기적 특성 연구

석중현 ,  정균호 ,  김경민 외 3명

전기전자재료학회논문지

2016 .01

고속 스위칭 인버터의 Dynamic 특성을 가지는 투명 전자 소자

Shan Fei ,  김한상 ,  경동구 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

2017 .06

Asymmetry Current Voltage Behaviors of Ni/HfO₂/TiN Memory Structures for Self-rectifying Resistive Switching Memory Using Quantum Tunneling Phenomenon

Min Ju Yun ,  Sungho Kim ,  Ch 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2017 .01