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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 93 - 98 (6page)
이용수
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본 연구에서는 자외선 (UV) 광을 이용한 post-annealing 공정이 용액공정 기반의 InZnO (IZO) 박막 트랜지스터 (TFT)의 전기적 특성에 미치는 영향에 대해서 분석하기 위해서, 0, 30, 90 초로 각각 서로 다른 시간 동안 UV 광을 조사하였다. 제작된 IZO TFT의 성능을 평가하기 위해서 전달 곡선과 전기적 유지 안정성에 대한 곡선을 측정하였다. 또한 높이, 진폭 및 위상에 대한 AFM 이미지를 측정하여 IZO 박막의 표면 및 형태 변화를 분석하였다. AFM 측정은 tapping mode에서 cantilever 팁의 구동 진폭을 47.9 mV로 설정한 후 IZO 박막의 표면을 500 nm x 500 nm 크기로 설정하여 진행하였다. UV를 30초 동안 조사한 IZO TFT의 경우, 전자 이동도 및 on/off 전류 점멸비가 개선되었고, 문턱 전압이 약 2 V 정도 향상되었으며, 문턱 전압 이하에서의 기울기도 1.34 V/dec에서 1.11 V/dec으로 개선되었다.
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