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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제33권 제3호
발행연도
2020.1
수록면
177 - 180 (4page)

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본 연구에서는 TCAD 시뮬레이션을 통하여 필드스톱 IGBT와 리버스 컨덕팅 IGBT를 비교 했을 때 항복전압이 1719 V로 약 279 V 더 높아졌으며, 턴-오프 시간이 421.6㎲ 더 좋아지는 것을 확인할 수 있었다. 또한 문턱전압이 각 5.41 V, 4.19 V인 것을 확인 할 수 있었다. 리버스 컨덕팅 IGBT의 경우 콜렉터의 N+부분의 너비에 따라서는 전기적 특성이 큰 변화는 없었지만, 농도에 따라 변화가 큰 것을 확인 할 수 있어 전기적특성의 필요에 따라 농도로 맞출 수 있을 것으로 확인되며, N+영역이 생김으로 인하여 항복전압이 높아져서 소자의 크기를 더욱 줄일 수 있어 리버스 컨덕팅 IGBT가 효율이 더 좋다는 것을 확인 할 수 있었다.

목차

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참고문헌 (6)

참고문헌 신청
강이구 / 2016 / 설계 및 공정 변수에 따른 600 V급 IGBT의 전기적 특성 분석 / 전기전자재료학회논문지 29(5):263~267 dbpia 원종일 / 2013 / Reverse-Conducting IGBT Using MEMS Technology on the Wafer Back Side / ETRI Journal 35(4):603~609 Crossref 금종민 / 2012 / 1,200 V급 Trench Gate Field Stop IGBT 소자의 전기적 특성 향상 방안에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 25(4):253~260 dbpia 강이구 / 2016 / 1,200 V급 Floating Island IGBT의 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 29(9):523~526 dbpia 강이구 / 2017 / 전기자동차용 이중 게이트 구조를 갖는 전력 IGBT소자의 전기적인 특성 분석 / 전기전자학회논문지 21(1):1~6 dbpia

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