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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이주아 (성균관대) 변종은 (현대자동차) 안상준 (성균관대) 손원진 (성균관대) 이병국 (성균관대)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제26권 제3호
발행연도
2021.6
수록면
214 - 221 (8page)

이용수

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2021

Rogowski Coil 기반의 전류 센싱 회로를 적용한 SiC MOSFET 단락 보호 회로 설계
이주아 ,  변종은 ,  안상준 외 2명 전력전자학회논문지 2021.06 학술저널

2020

Rogowski coil을 적용한 SiC MOSFET 단락 보호 회로 설계
이주아 ,  심동현 ,  권만재 외 4명 전력전자학회 학술대회 논문집 2020.11 학술대회자료
SiC MOSFET 단락 검출 회로를 위한 고정밀 Rogowski 코일 회로 설계
이주아 ,  심동현 ,  손원진 외 3명 전력전자학회 학술대회 논문집 2020.08 학술대회자료

초록· 키워드

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SiC MOSFETs require a faster and more reliable short-circuit protection circuit than conventional methods due to narrow short-circuit withstand times. Therefore, this research proposes a short-circuit protection circuit using a current-sensing circuit based on Rogowski coil. The method of designing the current-sensing circuit, which is a component of the proposed circuit, is presented first. The integrator and input/output filter that compose the current-sensing circuit are designed to have a wide bandwidth for accurately measuring short-circuit currents with high di/dt. The precision of the designed sensing circuit is verified on a double pulse test (DPT). In addition, the sensing accuracy according to the bandwidth of the filters and the number of turns of the Rogowski coil is analyzed. Next, the entire short-circuit protection circuit with the current-sensing circuit is designed in consideration of the fast short-circuit shutdown time. To verify the performance of this circuit, a short-circuit test is conducted for two cases of short-circuit conditions that can occur in the half-bridge structure. Finally, the short-circuit shutdown time is measured to confirm the suitability of the proposed protection circuit for the SiC MOSFET short-circuit protection.
#Rogowski coil #Current sensing #Short-circuit protection #SiC MOSFET #Wide band gap

목차

Abstract
1. 서론
2. Rogowski Coil 기반의 전류 센싱 회로 설계
3. 단락 보호 회로 설계
4. 성능 검증
5. 결론
References

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
A. Elasser / 2002 / Silicon carbide benefits and advantages for power electronics circuits and system / Proceedings of the IEEE 90(6):969~986 google schola S. Mocevic / 2020 / Comparison and discussion on shortcircuit protections for silicon-carbide MOSFET modules : Desaturation versus rogowski switch-current sensor / IEEE Transactions on Industry Applications 56(3):2880~2893 google schola Texas Instruments / 2018 / Understanding the short circuit protection for silicon carbide MOSFETs google schola TOSHIBA / 2018 / Smart gate driver coupler TLP5214A /TLP5214 google schola CREE / 2015 / Cree CMF201202D SiC MOSFET / C2M0080120D datasheet google schola

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