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자료유형
학술대회자료
저자정보
조재헌 (숭실대학교) 박창근 (숭실대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2022년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2022.11
수록면
1,048 - 1,051 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2023

적층 구조에서 고출력 영역 전압 최적화를 이용한 5G NR용 Ka-Band CMOS 전력증폭기
조재헌 전자공학과 2023.01 학위논문

2022

구동 증폭단의 선형화 회로를 이용하여 출력전력을 개선시킨 W-band CMOS 전력 증폭기
조재헌 ,  박창근 대한전자공학회 학술대회 2022.11 학술대회자료

초록· 키워드

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A 77 GHz CMOS Power Amplifier(PA) with diode linearizer is introduced at the drive stage. Transformer, which improved Q-factor for high gain transmission, was applied to power stage. PA was designed using a 65 nm RF CMOS process. As a result of the simulation, the gain is 16.8 dB or more and the change in the gain per GHz within the target frequency band is 0.267 dB or less. P1dB is a minimum of 13.5 dBm, Psat is a minimum of 15.19 dBm, and peak PAE is a minimum of 10.3%. The core size is 0.028 mm².

목차

Abstract
I. 서론
II. W-band 전력증폭기 설계
Ⅲ. 설계 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌

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65 ㎚ CMOS 공정을 이용한 W-대역 전력증폭기 설계
김준성 ,  권오윤 ,  송림 외 1명 한국전자파학회논문지 2016 .03
선형성 개선을 위한 고효율 GaN-HEMT 이중대역 Doherty 전력 증폭기
우규식 ,  서철헌 한국전자파학회논문지 2021 .03

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