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저자정보
Kyeong-Min Kim (Gyeongsang National University) Sam-Haeng Lee (Gyeongsang National University) Byeong-Jun Park (Gyeongsang National University) Joo-Seok Park (Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology) Sung-Gap Lee (Gyeongsang National University)
저널정보
한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제23권 제1호
발행연도
2022.2
수록면
29 - 32 (4page)

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K(Ta0.80Nb0.20)O3 films with Pb(Zr0.52Ti0.48)O3PZT buffer layer on Pt/Ti/SiO2/Si substrate were fabricated by sol-gel and spincoatingmethod. Structural and electrical properties were measured with variation of the sintering temperature, and theapplicability to microwave materials was investigated. All K(Ta0.80Nb0.20)O3 films showed a cubic crystal structure. Averagegrain size was about 123~193 nm and average thickness of the K(Ta0.80Nb0.20)O3 films was approximately 366 nm. Throughthe AFM results, root mean square roughness (Rrms) of all K(Ta0.80Nb0.20)O3 films was around 6 nm. All K(Ta0.80Nb0.20)O3 filmsshowed a tendency to increase dielectric loss as frequency increased. As the sintering temperature increased, tunability withan applied DC voltage indicated a decreasing tendency. Tunability and temperature coefficient of the K(Ta0.80Nb0.20)O3 filmsintered at 700 oC showed good values of 22.1% at 10 V, -0.594/oC.

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