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자료유형
학술저널
저자정보
Ko Eunah (University of Seoul) Shin Jaemin (University of Seoul) 신창완
저널정보
나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.5 No.2
발행연도
2018.1
수록면
1 - 9 (9page)
DOI
10.1186/s40580-018-0135-4

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Simply including either single ferroelectric oxide layer or threshold selector, we can make conventional field effect transistor to have super steep switching characteristic, i.e., sub-60-mV/decade of subthreshold slope. One of the representative is negative capacitance FET (NCFET), in which a ferroelectric layer is added within its gate stack. The other is phase FET (i.e., negative resistance FET), in which a threshold selector is added to an electrode (e.g., source or drain) of conventional field effect transistor. Although the concept of the aforementioned two devices was presented more or less recently, numerous studies have been published. In this review paper, by reviewing the published studies over the last decade, we shall de-brief and discuss the history and the future perspectives of NCFET/phase FET, respectively. The background, experimental investigation, and future direction for developing the aforementioned two representative steep switching devices (i.e., NCFET and phase FET/negative resistance FET) are to be discussed in detail.
#Steep switching device Negative capacitance Phase FET Low power application Field effect transistor

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G. E. Moore / 1965 / Electronics 38:114~117 google schola C. Auth / 2017 / Proc. IEEE IEDM 29:1 google schola W. Y. Choi / 2007 / IEEE Electron Dev. Lett 28:743~745 google schola E. Ko / 2016 / IEEE Trans. Elect. Dev 63:5030~5035 google schola T. J. K. Liu / 2012 / IEEE Spectr 49:40 google schola

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