Synthesis of 2D transition metal dichalcogenides by chemical vapor deposition with controlled layer number and morphologySynthesis of 2D transition metal dichalcogenides by chemical vapor deposition with controlled layer number and morphology

You Jiawen; Hossain Md Delowar; Luo Zhengtang

doi:10.1186/s40580-018-0158-x

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저자정보: You Jiawen (Hong Kong University of Science and Technology) Hossain Md Delowar (Hong Kong University of Science and Technology) Luo Zhengtang (Hong Kong University of Science and Technology)

저널정보: 나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.5 No.26

발행연도: 2018.9

수록면: 1 - 13 (13page)

DOI: 10.1186/s40580-018-0158-x

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Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) have stimulated the modern technology due to their unique and tunable electronic, optical, and chemical properties. Therefore, it is very important to study the control parameters for material preparation to achieve high quality thin films for modern electronics, as the performance of TMDs-based device largely depends on their layer number, grain size, orientation, and morphology. Among the synthesis methods, chemical vapor deposition (CVD) is an excellent technique, vastly used to grow controlled layer of 2D materials in recent years. In this review, we discuss the different growth routes and mechanisms to synthesize high quality large size TMDs using CVD method. We highlight the recent advances in the controlled growth of mono- and few-layer TMDs materials by varying different growth parameters. Finally, different strategies to control the grain size, boundaries, orientation, morphology and their application for various field of are also thoroughly discussed.

#Transition metal dichalcogenides (TMDs) 2D materials Growth mechanisms Chemical vapor deposition Morphology

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M. Chhowalla / 2013 / Nat. Chem 5:263

T. Kanazawa / 2016 / Sci. Rep 6:22277

R. Ganatra / 2014 / ACS Nano 8:4074~4099

C. Chunxiao / 2018 / Adv. Opt. Mater 6:1700767

J. C. E. Rasch / 2008 / Phys. Rev. Lett 101:237602

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