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논문 기본 정보
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- 학술저널
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- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.3
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 346 - 351 (6page)
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Titanium dioxide (TiO₂) films are deposited by atomic layer deposition (ALD) using titanium isopropoxide (TTIP) and H₂O as precursors. The operating instructions for the ALD equipment are described in detail, along with the settings for relevant parameters. The thickness of the TiO₂ film is measured, and thereby, the deposition rate is quantitatively estimated to verify the linearity of the deposition rate.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES
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