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전상빈 (서울대학교) 유성원 (서울대학교) 고형우 (서울대학교) 고결 (서울대학교) 신형철 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2015.11
수록면
101 - 104 (4page)

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In this study, we suggested a method for extracting parasitic capacitance at planar MOSFET. Under different gate voltage, capacitance of MOSFET changes. Thus measurement of capacitance of gate to drain region at varying gate voltage, allowed to extract parasitic capacitance.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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