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저자정보
강승환 (성균관대학교) 이재원 (성균관대학교) 고한서 (성균관대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제42권 제1호(통권 제388호)
발행연도
2018.1
수록면
35 - 40 (6page)
DOI
10.3795/KSME-B.2018.42.1.035

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반도체 생산 설비인 CVD 챔버 내부 웨이퍼 사이의 유동을 분석하였다. 검사체적은 튜브 안쪽 공간으로 가정하였고, 수치해석 방법을 통해 2차원 및 3차원의 내부 유동을 계산하였다. 반도체를 만드는 과정에서 웨이퍼 위에 박막의 증착률 및 균일도를 증가시키기 위해 웨이퍼 내부로의 원활한 유동이 필수적이므로, 그 방법으로 편심 웨이퍼 배치 및 기울어진 웨이퍼 배치 구조를 제안하였다. 웨이퍼 배치를 편심시켜 통로 폭의 차이를 만들거나, 웨이퍼를 기울여 웨이퍼 내부의 압력 차이를 형성시켰을 때 일정한 방향으로의 내부 유동을 발생시킬 수 있음을 밝혔다.
#CFD(전산 유체 역학) #Chemical Vapor Deposition(화학기상증착법) #Finite Difference Method(유한차분법) #SIMPLE Algorithm(SIMPLE 알고리즘)

목차

초록
Abstract
1. 서론
2. 해석 방법
3. 해석 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
Campbell, S.A., Campbell, S.A., 2008, Fabrication engineering at the micro and nanoscale, Oxford University Press, New York. Fogler, H. S., 1992, Elements of chemical reaction engineering, Prentice-Hall Englewood, Cliffs, N.J, p. 637. Hofmann, C., Werner, C. and Ulacia F, J.I., 1991. “Numerical Analysis of Fluid Flow and Nonuniformities in a Polysilicon LPCVD Batch Reactor,” Applied Surface Science, Vol. 52, No. 3, pp. 169~187. Versteeg, H.K. and Malalasekera, W., 2007. An introduction to computational fluid dynamics, Pearson/ Prentice Hall, Harlow. Kinoshita, S., Takagi, S., Kai, T., Shiozawa, J. and Maki, K., 2005. “Multiscale Analysis of Silicon Lowpressure Chemical Vapor Deposition,” Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers, Vol. 44, No. 11, pp. 7855~ 7862.

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