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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
이현섭 (동명대학교)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants 한국윤활학회지 제34권 제3호
발행연도
2018.6
수록면
115 - 122 (8page)

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Chemical mechanical polishing (CMP) is a hybrid processing method in which the surface of a wafer is planarized by chemical and mechanical material removal. Since mechanical material removal in CMP is caused by the rolling or sliding of abrasive particles, interfacial friction during processing greatly influences the CMP results. In this paper, the trend of tribology research on CMP process is discussed. First, various friction force monitoring methods are introduced, and three elements in the CMP tribo-system are defined based on the material removal mechanism of the CMP process. Tribological studies on the CMP process include studies of interfacial friction due to changes in consumables such as slurry and polishing pad, modeling of material removal rate using contact mechanics, and stick-slip friction and scratches. The real area of contact (RCA) between the polishing pad and wafer also has a significant influence on the polishing result in the CMP process, and many researchers have studied RCA control and prediction. Despite the fact that the CMP process is a hybrid process using chemical reactions and mechanical material removal, tribological studies to date have yet to clarify the effects of chemical reactions on interfacial friction. In addition, it is necessary to clarify the relationship between the interface friction phenomenon and physical surface defects in CMP, and the cause of their occurrence.
#chemical mechanical polishing(화학기계적 연마) #tribology(트라이볼로지) #friction force(마찰) #wear(마모) #stick-slip(스틱-슬립) #real area of contact(실접촉면적)

목차

Abstract
1. 서론
2. CMP 재료제거 메커니즘
3. CMP Tribo-System
4. 연구동향
5. 향후과제
References

참고문헌 (28)

참고문헌 신청
Ko, B. G., Yoo, H. C., Park, J. G., “Effects of pattern density on CMP removal rate and uniformity”, J. Kor, Phys. Soc., Vol. 39, pp. S318-S321, 2001. Lee, H., Park, Y., Lee, S., Jeong, H., “Effect of wafer size on material removal rate and its distribution in chemical mechanical polishing of silicon dioxide film”, J. Mech. Sci. Technol., Vol. 27, No. 10, pp. 2911- 2916, 2013. Nanz, G., Camilletti, L. E., “Modeling of chemicalmechanical polishing: A review”, IEEE Trans. Semicon. Manufact., Vol. 8, No. 4, pp. 382-389, 1995. Lee, H. S., Jeong, H. D., “Chemical and mechanical balance in polishing of electronic materials for defect-free surfaces,” CIRP Ann. Manufact. Technol., Vol. 58, pp. 485-490, 2009. Lee, D., Lee, H., Jeong, H., “Slurry components in metal Chemical Mechanical Planarization (CMP) Process: A review,” Int. J. Precis. Eng. Manufact., Vol. 17, No. 12, pp. 1751-1762, 2016.

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