Common-path Optical Interferometry for On-site Measurement of CMP Pad Surface

W. J. Choi

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: W. J. Choi (중앙대학교)

저널정보: Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2021년도 춘계학술대회 논문집

발행연도: 2021.5

수록면: 31 - 31 (1page)

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Chemical mechanical polishing (CMP) is a planarization technique used to flatten a silicon wafer. Thanks to its global planarization performance, CMP has been emerged as a critical processing step in advanced semiconductor manufacturing over the past few decades. For optimal CMP condition, it is highly desirable to rapidly monitor a surface texture of the polishing pad during CMP process, leading to stable wafer flatness quality. There have been many efforts to evaluate the pad surface using several optical sensing technologies. Despite of the promising results, however, no reports ha^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE10581610');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#

#Chemical mechanical polishing #CMP pad #Surface roughness #On-site measurement #Common-path optical interferometry

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