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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.8
- 수록면
- 14 - 18 (5page)
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일반적으로 반도체소자의 이동도를 높이기 위하여 반도체소자에서 옴접촉이 중요하게 다루어진다. 반도체 구조의 PN접합은 공핍층을 포함하고 있으며, 공핍층은 전기적인 비선형을 유도하고 쇼키접압을 만들어내는 반도체 고유의 물리적인 특징이다. 본 연구에서는 절연막이 전도성에 미치는 효과를 조사하기 위해서 SiO₂ 박막과 V₂O5/SiO₂ 박막의 전기적인 특성을 비교하여 조사하였다. 미소전계영역에서 SiO₂ 절연막의 전기적인 특성으로부터 비선형 쇼키접합을 이루고 있는 것을 확인하였으며, 그 위에 증착된 V₂O₅ 박막은 오믹특성을 갖는 것을 확인하였다. 절연막의 PN 접합에 의한 쇼키접합 특성이 누설전류를 차단하여 V₂O₅ 박막의 전도성을 우수하게 만들었다. 양의 전압에서 SiO₂ 박막의 커패시턴스 값은 매우 낮았으나 V₂O₅ 박막의 커패시턴스 값은 전압이 증가할수록 증가하였다. 일반적인 전계영역에서 SiO₂ 박막의 절연 효과에 의해 V₂O₅ 박막의 전도성이 증가하는 것을 확인하였다. 절연박막은 공핍층의 효과를 이용하는 쇼키접합을 갖게 되며, 반도체에서의 쇼키접합은 전도성을 높이는 효과가 있는 것을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 본론
3. 결론
References
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
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