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저자정보
Yuan Chen (The Fifth Electronics Research Institute of Ministryof Industry and Information Technology) Peng Zhang (South China University of Technology) Xiao-Wen Zhang (The Fifth Electronics Research Institute of Ministryof Industry and Information Technology) Ping Lai (The Fifth Electronics Research Institute of Ministryof Industry and Information Technology)
저널정보
한국신뢰성학회 International Journal of Reliability and Applications International Journal of Reliability and Applications 제20권 제2호
발행연도
2019.12
수록면
65 - 71 (7page)

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Miniaturization is the core of modern electronic product. Many of the semiconductor devices used in modern products are becoming smaller and smaller. Conventional defects recognition techniques face a great challenge. Then because of the ability of micro-fabrication at the micrometer or nanometer level the focused ion beam (FIB) technology has become one of the most necessary defects recognition and failure mechanism study tools for semiconductor device in the past several years. The FIB technology is particularly effective for analyzing the root failure cause in semiconductor active area. Sometimes you have an interest in a structure or defect that is buried under the surface of the semiconductor devices. Then you can make a rough cut in the possible locations. This paper describes the FIB technique for defects recognition in semiconductor devices. Several failure mechanisms have been identified, including kirkendall effect, gate oxide layer defect, and dielectric breakdown.
#Failure analysis #focused ion beam #semiconductor device

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. FIB TECHNOLOGY IN FAILURE ANALYSIS
3. EXPERIMENTS AND ANALYSIS
4. CONCLUSIONS
REFERENCES

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