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자료유형
학술저널
저자정보
김영철 (아이쓰리시스템[주]) 엄준호 (아이쓰리시스템[주]) 정한 (아이쓰리시스템[주]) 김선호 (국방과학연구소) 김남환 (국방과학연구소) 김영호 (아이쓰리시스템[주])
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제17권 제2호
발행연도
2018.1
수록면
12 - 15 (4page)

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InSb (III-V compound semiconductor) is used for photodiode to detect the mid-wavelength infrared radiation. Generally the quantum efficiency of InSb IR FPAs(Focal Plane Arrays) is known to be determined by thickness of InSb and transmittance of anti-reflection coating layer. In this study, we confirmed that the C-V characteristics of detector array affects the quantum efficiency of the InSb IR FPAs. We fabricated the IR FPAs with various $V_{fb}$(flat band voltage) values and confirmed the tendency between the $V_{fb}$ value and quantum efficiency of the IR FPAs.
#MWIR Detector #InSb #Quantum Efficiency #Flat-band Voltage

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Mike Davis / 2011 / Indium antimonide large-format detector arrays / Optical Engineering 50(6):061016 google schola Fishman T. / 2007 / 3D simulation of detector parameters for backside illuminated InSb 2-D arrays / Proc. SPIE. 6660:666005-1~666005-10 google schola G. C. Holst / 2000 / Common sense approach to thermal imaging / SPIE Optical Engineering Press google schola Ilan Bloom / 1993 / Surface passivation of Backside illuminated indium antimonide focal plane arrays / IEEE Trans. Electron Dev 40(2) google schola Dieter K. Schroder / Semiconductor material and device characterization / Wiley google schola

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