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- 학술대회자료
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- 2021.11
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- 147 - 149 (3page)
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Doped Hafnium oxide thin films are promising materials for ferroelectric application in semiconductor device fields. In this work, nitrogen doped Hafnium oxide (HfO₂:N) is investigated for its simple processability is sputtering process. It is found that the crystallinity cont^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE11027534');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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