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저자정보
김형재 (한국생산기술연구원)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2021년도 추계학술대회 논문집
발행연도
2021.11
수록면
7 - 7 (1page)

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현재의 추세로 디지털세상이 발전한다면 사물인터넷(Internet of Things)의 증가, 모바일 기기의 발달 그리고 기기간의 연결(Connected Devices) 가속화로 2025년에는 매일 약 4.6억 Tb의 데이터가 생성될 것으로 예측되며, 이러한 데이터 기반 사회의 뿌리에는 끊임없이 진화하는 반도체 디바이스의 제조기술 발전이 뒷받침 하고 있다. 역사적으로 오랜 기간 동안 광학부품의 초정밀 연마기술이었던 화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)공정은 1983년 IBM에서 반도체 소자의 단차 극복을 위해 최초로 반도체 공정에 적용되었다. 이후 매년 지수적인 집적도 증가(Moore’s Law)에 맞추어 최소선폭은 감소하고, 이러한 기술적 장벽에 대응하기 위해 CMP는 연마라는 본질적인 기술바탕 위에 완전히 새로운 기술적 요구를 가진 평탄화(Chemical Mechanical Planarization)라는 기술 특성을 끊임없이 발전시켜 왔다. 최초 절연막 평탄화 공정에서 시작하여 공정적인 측면에서는 수직배선, 수평배선, 소자분리, 고단차 극복 등의 공정으로 확대되었으며, 이러한 공정을 구현하기 위하여 배선영역에서의 디싱(Dishing)결함, 고밀도 영역에서의 에로젼(Erosion) 결함, 위치별 패턴밀도 차이에 의해 발생하는 평탄도 오차, 10x nm급의 소자에서 발생하는 나노토포그라피 기인 평탄도 오차 등을 극복하기 위하여 가공종점 검출기술과 슬러리 성능의 고도화, 패드의 물성변화, 장비의 발전, 공정조건의 다변화라는 기술적 발전을 이루어 왔다. 다른 한편으로, 재료적인 측면에서 실리콘산화막, 질화실리콘, a-Si, Low-k 및 High-k산화막, 알루미늄, 구리, 텅스텐, Ta, TaN^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE11040322');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#

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