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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 353 - 356 (4page)
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3D NAND flash memory에서 taper angle에 따른 mechanical stress 영향을 TCAD(Technology Computer-Aided Design) simulation을 이용해 조사하였다. Taper angle이 90도일 때, 층수 및 WL의 위치에 관계없이 polysilicon 채널의 stress는 유사하다. 반면에, taper angle이 90도 보다 작아지면 channel hole의 CD variation이 심화되고 WL 위치가 하단에 가까워질수록 compressive stress가 증가하게 된다. 이때, polysilicon channel에 가해지는 compressive stress는 conduction band lowering에 의해 negative Vth shift(ΔVth)가 발생한다. 따라서 상단 셀과 하단 셀에 가해지는 stress가 달라 non-uniform V<SUB>th</SUB> shift가 발생된다.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Simulation Setup
Ⅲ. Results and Discussions
Ⅳ. Conclusion
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