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저자정보
이병성 (공주대학교) 김문정 (공주대학교)
저널정보
한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제19권 제10호
발행연도
2018.10
수록면
324 - 329 (6page)

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본 논문은 테스트 프로브의 플런저 접점 위치와 구조에 따른 신호 전달 특성 변화를 분석하였다. 플런저 접점 위치는 실제 동작 상황을 고려하였으며, 플런저 내부 접점과 바렐 입구 접점으로 나누어 테스트 프로브의 고주파 성능 변화를 조사하였다. 또한 테스트 프로브는 더블, 싱글, 아웃스프링의 3 가지 구조로 나누고 구조 차이에 따른 신호 전달 특성 변화를 분석하였다. 고주파 전자기 해석 툴 HFSS를 사용하여 삽입손실과 반사손실을 계산하고, Q3D 시뮬레이션을 이용하여 테스트 프로브의 임피던스를 분석한다. 접점 위치에 따른 계산 결과, 바렐 입구 접점의 삽입손실이 플런저 내부 접점보다 감소하였다. 이를 통해 테스트 프로브의 접점 위치에 따라 테스트 프로브의 고주파 성능이 달라질 수 있음을 확인하였다. 구조에 따른 신호 전달 특성의 비교 분석에서는 아웃스프링 프로브가 보다 우수한 삽입손실과 반사손실 주파수 특성을 보여주었다. 테스트 프로브 구조별로 특성 임피던스를 계산하였으며 더블 프로브와 싱글 프로브는 30.8 Ω으로 동일한 결과를 보여주었다. 반면에 아웃스프링 프로브는 47.1 Ω의 결과가 나타났다. 아웃스프링 프로브의 특성 임피던스가 50 Ω에 보다 근접하여 높은 신호 전달 특성을 보인 것으로 분석된다. 아웃스프링 프로브가 높은 삽입손실과 반사손실 특성을 보여 고속 동작 제품의 성능 검사에 적합한 것으로 예상한다.
#Test Probe #Signal Transmission Characteristics #Contact Position #Structure #S-parameter

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
S. J. Ha, D. W. Kim, B. C. Shin, M. W. Cho, C. S. Han, “Assessment of Design and Mechanical Characteristics of MEMS Probe Tip with Fine Pitch”, Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society, Vol.11, No.4, pp.1210-1215, 2010. H. Seo, “The Study For Measurement of Test Socket Resistance and Inductance”, The Institute of Semiconductor Test of Korea, pp.1-5, 2009. B. Tunaboylu, “Electrical Characterization of Test Sockets With Novel Contactors”, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Vol.14, No.1, pp.580-582, MARCH 2014. DOI: https://dx.doi.org/10.1109/TDMR.2012.2209888 C. H. Lin, H. Y. Ng, W. W. Wong, “Managing BGA test socket SI characterization”, Proceedings of 2013 IEEE 15th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC 2013), pp.589-591, Dec. 2013. DOI: https://dx.doi.org/10.1109/EPTC.2013.6745788 R. B. Sun, C. Y. Wen, R. B. Wu, “A New Isolation Structure of pogo Pins for Crosstalk Reduction in a Test Socket”, IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Vol.1, No.4, pp.586-594, April 2011. DOI: https://dx.doi.org/10.1109/TCPMT.2010.2102491

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