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한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제27권 제1호
발행연도
2020.1
수록면
1 - 7 (7page)

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The backside metallization process is typically used to attach a chip to a lead frame for semiconductor packaging because it has excellent bond-line and good electrical and thermal conduction. In particular, the backside metal with the Ag/Sn/Ag sandwich structure has a low-temperature bonding process and high remelting temperature because the interfacial structure composed of intermetallic compounds with higher melting temperatures than pure metal layers after die attach process. Here, we introduce a die attach process with the Ag/Sn/Ag sandwich structure to apply commercial semiconductor packages. After the die attachment, we investigated the evolution of the interfacial structures and evaluated the shear strength of the Ag/Sn/Ag sandwich structure and compared to those of a commercial backside metal (Au-12Ge).

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