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Taehak Kim (Kyungpook National University) Jaehoon Jeong (Kyungpook National University) Seungmin Woo (Kyungpook National University) Jeonggyu Yang (Kyungpook National University) Hyunwoo Kim (Kyungpook National University) Ahyeon Nam (Kyungpook National University) Changdong Lee (Kyungpook National University) Jinmin Seo (Kyungpook National University) Minji Kim (Kyungpook National University) Siwon Ryu (Kyungpook National University) Yoonju Oh (Kyungpook National University) Taigon Song (Kyungpook National University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
2,320 - 2,324 (5page)

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Nanosheet FETs (NSFETs) are expected as future devices that replace FinFETs beyond the 5nm node. Despite the importance of the devices, few studies report the impact of NSFETs in the full-chip level. Therefore, this paper presents NS3K, the first 3nm NSFET library, and presents the results in a full-chip scale. Based on our results, 3nm NSFET reduces power by -27.4%, total wirelength by -25.8%, number of cells by -8.5%, and area by -47.6% over 5nm FinFET, respectively, due to better devices and interconnect scaling. However, careful device/layout designs followed by routing-resource considering standard cells are required to maximize the advantages of 3nm technology.
#NSFET #FinFET #Library #Standard cell

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE SETTINGS
III. STANDARD CELL LIBRARY DESIGN
IV. FULL-CHIP DESIGN
V. CONCLUSION
REFERENCES

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