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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.12
- 수록면
- 25 - 29 (5page)
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The semiconductor industry has been developed mainly by micronization process due to many advantages of miniaturization of devices. Mass production of semiconductors of 10 nm class has been started recently, and it is expected that the technology generation of 5 nm & 7 nm technology will come. However, excessive linewidth reduction affects physical limits and device reliability. To solve these problems, new process technology development and new concept devices are being studied. In this review, we introduce the next generation technology and introduce the advanced research for the new concept device.
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조영학 / 2013 / 3D 적층 IC를 위한 웨이퍼 레벨 본딩 기술 / 마이크로전자 및 패키징학회지 20(1):7~13
R. K. Cavin / 2012 / Science and engineering beyond Moore's law / Proceedings of the IEEE 2012 100(Special Centennial Issue):1720
J. A. Hutchby / 2014 / A “Moore's Law”-like approach to roadmapping photovoltaic technologies / Renewable and Sustainable Energy Reviews 29:883
K. Chang / 2015 / In Power benefit study of monolithic 3D IC at the 7nm technology node, Low Power Electronics and Design (ISLPED) / 2015 IEEE/ACM International Symposium on :201
M. Xu / 2015 / Improved short channel effect control in bulk finFETs with vertical implantation to form self-aligned halo and punch-through stop pocke / IEEE Electron Device Letters 36(7):648
R. K. Cavin / 2012 / Science and engineering beyond Moore's law / Proceedings of the IEEE 2012 100(Special Centennial Issue):1720
J. A. Hutchby / 2014 / A “Moore's Law”-like approach to roadmapping photovoltaic technologies / Renewable and Sustainable Energy Reviews 29:883
K. Chang / 2015 / In Power benefit study of monolithic 3D IC at the 7nm technology node, Low Power Electronics and Design (ISLPED) / 2015 IEEE/ACM International Symposium on :201
M. Xu / 2015 / Improved short channel effect control in bulk finFETs with vertical implantation to form self-aligned halo and punch-through stop pocke / IEEE Electron Device Letters 36(7):648
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