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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.8
- 수록면
- 525 - 535 (11page)
- DOI
- 10.3795/KSME-A.2024.48.8.525
이용수
초록· 키워드
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블랭크 마스크는 반도체 산업에서 포토마스크의 기판으로 사용되고 있다. 초정밀 반도체 소자를 제조하기 위해서 블랭크 마스크의 기하학적 특성은 나노 스케일에서 측정되어야 한다. 현재까지 두께 변동 성분을 측정하기 위해 2면 간섭계를 사용되어 왔지만, 블랭크 마스크의 윗면과 아랫면의 두께 변동 성분을 분리하여 측정할 수는 없었다. 본 연구에서는 블랭크 마스크의 윗면과 아랫면의 두께 변동 성분과 굴절률을 고려하여 3면 간섭계에서 광로차 식을 보다 엄격하게 유도하였다. 그리고 굴절률 결정을 통해 윗면과 아랫면의 두께 변동 성분을 분리하여 계산하는 두 방정식을 도출한 뒤, 2N - 1 위상 계산 알고리즘을 이용하여 윗면과 아랫면의 두께 변동 성분을 분리하여 측정하였다. 최종적으로 이론적인 위상과 실험적인 위상 사이의 잔류 오차를 계산하여 제안된 방법의 타당성을 평가하였다.
목차
초록
Abstract
1. 서론
2. 간섭 신호 별 광로차
3. 블랭크 마스크의 광학적 두께 변동 성분 분리 방법
4. 검증 실험
5. 결론
참고문헌(References)
참고문헌 (35)
참고문헌 신청
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Groot, P. J. and Deck, L. L., 2018 “Optical Metrology for Immersive Display Components and Subsystems,” Proc. SPIE, Vol. 10676, pp. 54~59.
Velidandla, V., Xu, J., Hou, Z., Wijekoon, K. and Tanner, D., 2011, “Texture Process Monitoring in Solar Cell Manufacturing Using Optical Metrology,” Proceedings of the 2011 37th IEEE Photovolt. Spec. Conf., Seattle, USA, pp. 001744~001747.
Lin, B. J., 1975, “Deep UV Lithography,” J. Vac, Sci. Technol., Vol. 12, No. 6, pp. 1317~1320.
Stevenson, J. T. M. and Gundlach, A. M., 1986, “The Application of Photolithography to the Fabrication of Microcircuits,” J. Phys. E: Sci. Instrum., Vol. 19, No. 9, pp. 654~667.
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