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김동환 (한국전자통신연구원) 오애선 (한국전자통신연구원) 안현식 (한국전자통신연구원) 박은영 (한국전자통신연구원) 김경현 (한국전자통신연구원) 전성재 (한국기계연구원) 배현철 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2020년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2020.8
수록면
151 - 154 (4page)

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In this paper, thermal analysis was performed to effectively manage the heat generated in a highpower module using SiC rather than the existing Si power module. The difference in the maximum temperature of the power module was analyzed using the other two substrates and the bonding materials. The substrates used were an existing Al2O3 DBC and an AlN DBC with high thermal conductivity. Then, PbSn Preform, which is used as a bonding material for existing power modules, and a heat dissipation efficient Ag/Cu Sintering Paste bonding material for thermal analysis and the results were compared.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결과
IV. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌(References)

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