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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.11
- 수록면
- 497 - 502 (6page)
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반도체 제품의 고도화에 따라 반도체 소자를 구성하는 패턴 선 폭이 점차 미세화 되고 있다. 미세한 패턴을 식각하기 위한 반도체 건식 식각 장비도 점점 높은 Deep Contact Etch 기술이 요구되고 있다. Deep Contact Etch 를 위해서는 RF High power 가 필요한데 RF High power 사용시 Wafer와 주변 Edge Ring사이의 전위차로 인해 Plasma Sheath 변형과 Micro Arcing이 발생하게 된다. 이 Micro Arcing 은 Wafer 의 Edge 쪽에 Particle 및 소자 특성을 저해하는 문제를 야기시키기 때문에 본 논문에서는 Chamber 내부의 전기장을 모델링 하여 Wafer와 Edge Ring 사이의 전위차를 줄일 수 있는 Parts Design을 수식적으로 계산하고 Simulation하여 최적의 Design 을 찾음으로써 Parts Design의 변경으로 해당 문제를 개선해보고자 한다.
목차
요약
Abstract(English)
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 제안하는 방법
Ⅲ. 실험 및 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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